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随着电子科技技能的开展，MOS管被普遍使用于各个范畴。关于行业人士来说，只需打仗电子电路设计，就必定需求打仗MOS管。而在MOS管的运用进程中，会呈现一种罕见的作用景象——米勒效应，它普通会呈现在MOS管的守旧器件之中。并且，在MOS管中，门极和漏极间还会存在米勒电容。

那么，什么是米勒电容呢？米勒电容并非指存在MOS管中的电容，它是由MOSFET棚漏极间的电容反应到输出的等效电容。依据米勒定理可以得知，这个等效电容比棚漏间的实践电容要大很多，随增益变革，而由该效应所构成的等效电容称为米勒电容。

当遇到MOS管呈现米勒电容，从而影响全体的开启日期时，有相干人士会思索在栅极和源极间并联一个小电容。但依据米勒定力，在棚源极间并联一个电容对减小米勒电容于事无补，反之更会低落MOSFET的开启速率，添加守旧关断日期。

因而，针对这一景象，我们应怎样准确地处置呢？依据工程师的经历之谈，准确的处置方法是在关断理性负载时，假如驱动电路内阻不敷小，可以在MOS的GS间并联一个得当的电容，而不是并联一个越小越好的电容。如许做可以避免关断时因米勒电容影响呈现的漏极电压塌陷。

而在测试的进程中，一旦遇到米勒效应电容题目，起首要根据盘问数据手册停止盘算，在预算出电容数值后选取得当电容停止电路条理修正调解。

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