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高压H桥PMW马达驱动使用FHP640A型号,代替IRF640参数的场效应管!

文章著作人:飞虹电子 阅读量:164 范例:行业资讯 日期:2021-02-03 10:14:30 分享:
    中国的电子财产链开展敏捷,国际半导体元器件也曾经越来越越缺货到难以想象的境地了,多要素驱动招致场效应管需求疾速扩张。场效应管作为高压H桥pmw马达驱动产物的紧张元器件,仅靠市道市情上常用的IRF640也缺乏以支持运用。

    这个时分就会比拟多电子工程师想要找一款可以代用IRF640场效应管。尤其假如是国际的货源,试样也会比拟方便。

高压H桥pmw马达驱动IRF640参数

    而市道市情上确实也是有比拟好可以替换IRF640用在高压H桥PMW马达驱动中的场效应管。便是飞虹的FHP640A。这款FHP640A的次要封装方式是 TO-220 ,脚位陈列位GDS。这款场效应管参数:Vgs(±V):30;VTH(V):2-4;ID(A):18;BVdss(V):200。

    由于以上的参数特点,以是这一款型号是可以与IRF640场效应管型号婚配在高压H桥pmw马达驱动中运用。

IRF640参数场效应管厂家

    现在这款N沟道加强型高压功率MOS场效应管:FHP640A,现在普遍运用的场景是高压H桥PMW马达驱动,DC-AC电源转换器,DC-DC电源转换器,48V/60V输出逆变器前级DC-DC

    升压电路,AC110V输入电压的修正波DC-AC全桥逆变电路。在运用功能参数方面可以与IRF640对标运用。

    FHP640A场效应管的特点是漏极直流电流18A,漏-源电压200V,导通电阻RDS(on) =0.18Ω(max) @VGS = 10 V低电荷、低反向传输电容开关速率快,低内阻。

替换IRF640型号高压MOS管

    飞虹努力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、消费及贩卖,至今曾经有33年半导体行业经历以及18年研发、制造经历。现在飞虹产物曾经在开关电源、逆变器、电动车、LED照明、家电、锂电维护、电机控制器取得普遍使用,协助协作同伴处理契合国情、契合国际质量的国际优质产物。除提供收费试样外,更可依据客户需求停止量身定制MOS管产物。

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